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US5U2中文资料4V Drive Nch+SBD MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

US5U2

功能描述

4V Drive Nch+SBD MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-2-1 22:30:00

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US5U2规格书详情

描述 Description

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。

特性 Features

•实现以2.0×2.1mm安装面积的高功率小空间的MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :US5U2

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TUMT5

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :SOT-353T

  • JEITA Package

    :SC-113CA

  • Number of terminal

    :5

  • Polarity

    :Nch+Schottky

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :1.4

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.27

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.25

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.17

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.27

  • Total gate charge Qg[nC]

    :1.4

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :0.7

  • Drive Voltage[V]

    :4

  • Reverse voltage VR (Diode) [V]

    :20

  • Forward Current IF (Diode) [A]

    :0.5

  • Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

    :2

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :2x2.1 (t=0.85)

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