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US6J12	文件：1.6181 Mbytes Page：14 Pages	丝印：J12；Package：SOT-363T；-12V PchPch Small Signal MOSFET lFeatures 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S Protection Diode 3) Small Surface Mount Package (TUMT6) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lApplication Switching 文件：1.6181 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6J11	文件：239.67 Kbytes Page：5 Pages	丝印：J11；Package：TUMT6；1.5V Drive PchPch MOSFET 文件：239.67 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6J11_09	文件：239.67 Kbytes Page：5 Pages	1.5V Drive PchPch MOSFET 文件：239.67 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6J11	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch+Pch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •1.5V驱动型 Pch+Pch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
US6J12	文件：300 bytes Page：1 Pages	-12V Pch+Pch 小信号MOSFET US6J12是适合开关用途的低导通电阻MOSFET。 • Low on - resistance\n• Built-in G-S Protection Diode\n• Small Surface Mount Package (TUMT6)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Applications：
Switching
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.2
Total gate charge Qg[nC]：
7.6
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

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更多US6J1供应商更新时间2026-3-15 8:01:00

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