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US6J12	文件：1.6181 Mbytes Page：14 Pages	丝印：J12；Package：SOT-363T；-12V PchPch Small Signal MOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Built-inG-SProtectionDiode 3)SmallSurfaceMountPackage(TUMT6) 4)Pb-freeleadplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
US6J12	文件：300 bytes Page：1 Pages	-12V Pch+Pch 小信号MOSFET US6J12是适合开关用途的低导通电阻MOSFET。; • Low on - resistance\n• Built-in G-S Protection Diode\n• Small Surface Mount Package (TUMT6)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
A6J12A	文件：313.76 Kbytes Page：3 Pages	PeakPowerSurfaceMountTVS	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
A6J12CA	文件：313.76 Kbytes Page：3 Pages	PeakPowerSurfaceMountTVS	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA6J12	文件：1.78603 Mbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial-ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Applications：
Switching
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.2
Total gate charge Qg[nC]：
7.6
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

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更多US6J12供应商更新时间2025-8-3 8:01:00

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