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UPD753036	文件：483.06 Kbytes Page：88 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD753036	文件：668.59 Kbytes Page：89 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •LowvoltageoperationVDD=1.8to5.5V •Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries •On-chipmemory •Programmemory(ROM):16384×8bits •Datamemory(RAM):768×4bits •Capableofhigh-speedoperationandvariable instructionexecutiontimeforpowersaving •0.95,1.91,3.81	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD753036A	文件：483.06 Kbytes Page：88 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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