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UPD753108GC-XXX-AB8

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low voltage operation: VDD = 1.8 to 5.5 V • Can be driven by two 1.5 V batteries • Internal memory • Program memory (ROM): 4096 × 8 bits (μPD753104) 6144 × 8 bits (μPD753106) 8192 × 8 bits (μPD753108) • Data memory (RAM): 512 × 4 bits • Capable of high-speed operation and vari

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RENESAS

瑞萨

UPD756504AGB-508-8ES-A

QFP44

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD760157GC-M02-8BS-A

QFP64

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD760191GC-306-8EA

QFP

RENASES

UPD760191GC-306-8EA

QFP

RENESAS/瑞萨

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更多UPD753108GC-XXX-AB8供应商 更新时间2025-12-12 10:14:00