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UPD753012GK-XXX-BE9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Lowvoltageoperation:VDD=2.2to5.5V ·Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries •On-chipmemory ·Programmemory(ROM): 12288´8bits(mPD753012) 16384´8bits(mPD753016) 24576´8bits(mPD753017) ·Datamemory(RAM): 1024´4bits

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多UPD753012GK-XXX-BE9供应商 更新时间2024-4-28 11:36:00