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UPD5740T6N	文件：403.96 Kbytes Page：22 Pages	SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) •Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V •Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) •Lownoise(LNA-mode):NF1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5740T6N-E2	文件：403.96 Kbytes Page：22 Pages	Marking：C3U；Package：TSON；SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) •Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V •Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) •Lownoise(LNA-mode):NF1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5740T6N-E2-A	文件：403.96 Kbytes Page：22 Pages	Marking：C3U；Package：TSON；SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) •Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V •Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) •Lownoise(LNA-mode):NF1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5740T6N-EVAL-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD UPD5740T6N	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPD5740T6N
功能描述：
IC AMP MMIC WIDEBAND LN 6TSON
RoHS：
是
类别：
RF/IF 和 RFID >> RF 放大器
系列：
-
标准包装：
3,000
频率：
100MHz ~ 6GHz
P1dB：
9.14dBm（8.2mW）
增益：
15.7dB
噪音数据：
1.3dB RF
型：
CDMA，TDMA，PCS
电源电压：
2.7 V ~ 5 V 电流 -
电源：
60mA
测试频率：
2GHz
封装/外壳：
0505（1412 公制）
包装：
带卷(TR)

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