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UPD5740T6N-E2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPD5740T6N-E2
厂商型号

UPD5740T6N-E2

功能描述

SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

C3U

封装外壳

TSON

文件大小

403.96 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-18 20:00:00

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UPD5740T6N-E2规格书详情

FEATURES

• Low voltage operation : VCC = 2.3 to 3.3 V (2.8 V TYP.)

• Low mode control voltage : Vcont (H) = 1.0 V to VCC, Vcont (L) = 0 to 0.5 V

• Low current consumption : ICC1 = 5.0 mA TYP. @ VCC = 2.8 V (LNA-mode)

: ICC2 = 1 μA MAX. @ VCC = 2.8 V (Bypass-mode)

• Low noise (LNA-mode) : NF1 = 1.5 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 470 MHz

: NF2 = 1.5 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 770 MHz

• High gain (LNA-mode) : GP1 = 15.0 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 470 MHz

: GP2 = 13.5 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 770 MHz

• Low insertion loss (Bypass-mode) : Lins1 = 1.1 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 470 MHz

: Lins2 = 1.3 dB TYP. @ VCC = 2.8 V, f = 770 MHz

• High-density surface mounting : 6-pin plastic TSON (T6N) package (1.5 × 1.5 × 0.37 mm)

• Included protection circuits for ESD

产品属性

  • 型号:

    UPD5740T6N-E2

  • 功能描述:

    IC AMPLIFIER GPS 6-TSON

  • RoHS:

  • 类别:

    RF/IF 和 RFID >> RF 放大器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 频率:

    100MHz ~ 6GHz

  • P1dB:

    9.14dBm(8.2mW)

  • 增益:

    15.7dB

  • 噪音数据:

    1.3dB RF

  • 型:

    CDMA,TDMA,PCS

  • 电源电压:

    2.7 V ~ 5 V 电流 -

  • 电源:

    60mA

  • 测试频率:

    2GHz

  • 封装/外壳:

    0505(1412 公制)

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
6250
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RENESAS/瑞萨
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