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UPD5740T6N-E2-A

Marking:C3U;Package:TSON;SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) •Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V •Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) •Lownoise(LNA-mode):NF1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPD5740T6N-E2

SiGeBiCMOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) •Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V •Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) •Lownoise(LNA-mode):NF1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    UPD5740T6N-E2-A

  • 功能描述:

    IC AMPLIFIER GPS 6-TSON

  • RoHS:

  • 类别:

    RF/IF 和 RFID >> RF 放大器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 频率:

    100MHz ~ 6GHz

  • P1dB:

    9.14dBm(8.2mW)

  • 增益:

    15.7dB

  • 噪音数据:

    1.3dB RF

  • 型:

    CDMA,TDMA,PCS

  • 电源电压:

    2.7 V ~ 5 V 电流 -

  • 电源:

    60mA

  • 测试频率:

    2GHz

  • 封装/外壳:

    0505(1412 公制)

  • 包装:

    带卷(TR)

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更多UPD5740T6N-E2-A供应商 更新时间2025-7-22 9:20:00