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UPD48576209	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E18-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E18-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E24-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E24-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E25-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E25-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E33-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209FF-E33-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:1.875ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=15ns 2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD48576209F1	文件：1.21987 Mbytes Page：54 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

Supply voltage (V)：
1.8
Density (Mbits)：
576
Architecture：
Low Latency DRAM-II
Function：
Common I/O
Burst Length (words)：
2/4/8
Data Width (bits)：
9
MAX Frequency (MHz)：
400
MIN Frequency (MHz)：
175
tRC (ns)：
15
Operation Temp (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O Voltage (V)：
1.5/1.8
Production Status：
EOL announced

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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