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UPD48576209F1	文件：1.21987 Mbytes Page：54 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM 文件：1.21987 Mbytes 页数：54 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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UPD5713TK-E2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT563	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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技术参数

密度 (MB)：
576
架构：
Low Latency DRAM-II
功能：
Common I/O
突发长度 (字)：
2/4/8
数据宽度 (位)：
9
最大频率 (MHz)：
400
最小频率 (MHz)：
175
tRC (ns)：
15
工作温度 (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O电压 (V)：
1.5/1.8
生产状态：
Mass Production

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