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UPD48576209FF-E18-DW1-A

576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O

Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia

文件:1.12946 Mbytes 页数:53 Pages

RENESAS

瑞萨

UPD48576209FF-E18-DW1

576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O

Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia

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RENESAS

瑞萨

UPD5713TK-E2-A

RENESAS
SOT563

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上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5716GR-E1-A

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HTSSOT16

RENESAS

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上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5739T7A-E1-A

RENESAS
HTSSOP16

RENESAS

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上传:深圳市正纳电子有限公司

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更多UPD48576209FF-E18-DW1-A供应商 更新时间2025-10-7 16:30:00