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UPD444016G5-8Y-7JF	文件：528 Kbytes Page：18 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •262,144wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:8,10,12ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •OutputEnableinputforeasyapplication •Single+5.0Vpowersupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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UPD444016G5-8Y-7JF	文件：86.57 Kbytes Page：16 Pages	4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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UPD444016G5-8Y-7JF

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MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •262,144wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:8,10,12ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •OutputEnableinputforeasyapplication •Single+5.0Vpowersupply

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MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •262,144wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:8,10,12ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •OutputEnableinputforeasyapplication •Single+5.0Vpowersupply

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4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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