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UPD44644184AF5-E50-FQ1-A	文件：682.86 Kbytes Page：38 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •DLL/PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Pipelineddoubledatarateoperation •Commondatainput/outputbus •Four-tickburstforreducedaddressfrequency •Tw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD44644184AF5-E50-FQ1-A

文件：682.86 Kbytes

Page：38 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •DLL/PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Pipelineddoubledatarateoperation •Commondatainput/outputbus •Four-tickburstforreducedaddressfrequency •Tw

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPD44644184AF5-E50-FQ1-A

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

Renesas

技术参数

Density (Mbits)：
72
Architecture：
DDR-II CIO
Burst Length (words)：
4
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
18
MAX Frequency (MHz)：
200
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
15x17mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UPD44645182AF5-E33-FQ1	RENESAS/瑞萨	23+	1005	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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