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UPD44164362BF5-E40-EQ3	文件：517.15 Kbytes Page：35 Pages	18M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu 文件：517.15 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44164362BF5-E40-EQ3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD44164362BF5-E40-EQ3-A	文件：517.15 Kbytes Page：35 Pages	18M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu 文件：517.15 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44164362BF5-E40-EQ3-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Density (Mbits)：
18
Architecture：
DDR-II CIO
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
250
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
13x15mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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艾睿（深圳）半导体有限公司	UPD44164362BF5-E40-EQ3	REN	2447	BGA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多UPD44164362BF5-E40-EQ3供应商更新时间2025-10-4 15:08:00

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