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UPD166100BV	文件：399.66 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：399.66 Kbytes 页数：11 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD166100BV	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE	Renesas 瑞萨	Renesas
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UPD166100	文件：296.97 Kbytes Page：14 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Built in current limit and thermal shutdown circuit. Thermal shutdown will automatically restart after the channel temperature has cool down. Low on-state resistance: RDS(ON) = 160 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 0.8 A, Tch = 25°C) Built in dynamic clamp circuit uPD166101: Dual channel Low-s 文件：296.97 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
UPD166100BV
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE

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