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UPD166005	文件：414.61 Kbytes Page：17 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • High temperature operation (Tch = 175°C MAX.) • Built-in charge pump circuit • Low on-state resistance RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C) • Built-in protection circuit - Current limitation - Over temperature protection • Built-in open load detection circui 文件：414.61 Kbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166005GR-E1-AZ	文件：414.61 Kbytes Page：17 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • High temperature operation (Tch = 175°C MAX.) • Built-in charge pump circuit • Low on-state resistance RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C) • Built-in protection circuit - Current limitation - Over temperature protection • Built-in open load detection circui 文件：414.61 Kbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166005GR-E2-AZ	文件：414.61 Kbytes Page：17 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • High temperature operation (Tch = 175°C MAX.) • Built-in charge pump circuit • Low on-state resistance RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C) • Built-in protection circuit - Current limitation - Over temperature protection • Built-in open load detection circui 文件：414.61 Kbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166005GR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Intelligent Power Devices-Protected and Intelligent Power Switches	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Automotive：
YES
Package Type：
Power SOP8
Type：
High side
Channels：
1
RON (mohm) max. @ Tj = 25 °C：
100
RON (mohm) max. @ Tj = 150 °C：
180
Vcc (V) min.：
8
Vcc (V) max.：
16
Vload dump (V)：
60
IL (A) typ.：
1.5
IL(SC) (A)：
2
Diagnostic：
Digtal status
ton (μs) max.：
200
toff (μs) max.：
200
Tch (°C) min.：
-40
Tch (°C) max.：
175
Mounting：
SMD
Production Status：
EOL

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更多UPD166005供应商更新时间2025-11-24 11:01:00

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