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UPD166005GR-E2-AZ	文件：414.61 Kbytes Page：17 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • High temperature operation (Tch = 175°C MAX.) • Built-in charge pump circuit • Low on-state resistance RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C) • Built-in protection circuit - Current limitation - Over temperature protection • Built-in open load detection circui 文件：414.61 Kbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD179324AGB-502-8ET-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS QFP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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UPD44324182BF5-E40-FQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC BGA	NEC 瑞萨上传：上海鑫科润电子科技有限公司	NEC

更多UPD166005GR-E2-AZ供应商更新时间2022-6-12 10:12:00