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UPD166005GR-E2-AZ	文件：414.61 Kbytes Page：17 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Hightemperatureoperation(Tch=175°CMAX.) •Built-inchargepumpcircuit •Lowon-stateresistance RDS(on)=100mΩMAX.(VIN=VIH,IO=1.5A,Tch=25°C) •Built-inprotectioncircuit -Currentlimitation -Overtemperatureprotection •Built-inopenloaddetectioncircui	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD166005GR-E2-AZ

文件：414.61 Kbytes

Page：17 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Hightemperatureoperation(Tch=175°CMAX.) •Built-inchargepumpcircuit •Lowon-stateresistance RDS(on)=100mΩMAX.(VIN=VIH,IO=1.5A,Tch=25°C) •Built-inprotectioncircuit -Currentlimitation -Overtemperatureprotection •Built-inopenloaddetectioncircui

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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更多UPD166005GR-E2-AZ供应商更新时间2025-5-16 18:55:00

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