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UPD166005GR-E1-AZ

文件：414.61 Kbytes

Page：17 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Hightemperatureoperation(Tch=175°CMAX.) •Built-inchargepumpcircuit •Lowon-stateresistance RDS(on)=100mΩMAX.(VIN=VIH,IO=1.5A,Tch=25°C) •Built-inprotectioncircuit -Currentlimitation -Overtemperatureprotection •Built-inopenloaddetectioncircui

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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