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UPA901TU-T3-A中文资料PDF规格书

UPA901TU-T3-A
厂商型号

UPA901TU-T3-A

功能描述

NPN SiGe RF ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

304.86 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 14:10:00

UPA901TU-T3-A规格书详情

NPN SiGe RF IC

IN A 8-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

DESCRIPTION

The μPA901TU is a silicon germanium HBT IC designed for the power amplifier of 5.8 GHz cordless phone and

other 5.8 GHz applications. This IC consists of two stage amplifiers and has excellent performance, high efficiency,

high gain, low power consumption.

The device is packaged in surface mount 8-pin lead-less minimold plastic package.

The device is fabricated with our SiGe HBT process UHS2-HV technology.

FEATURES

• Output Power : Pout = 19 dBm @ Pin = −3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz

• Low Power : IC = 90 mA @ Pin = −3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz

• Single Power Supply Operation : VCE = 3.6 V

• Built-in bias circuit

• 8-pin lead-less minimold (2.0 × 2.2 × 0.5 mm)

产品属性

  • 型号:

    UPA901TU-T3-A

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN SiGe Pwr Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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