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UPA863TD	文件：387.98 Kbytes Page：30 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Bui	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA863TD	文件：726.95 Kbytes Page：27 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA863TD-T3	文件：387.98 Kbytes Page：30 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Bui	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA863TD-A	文件：726.95 Kbytes Page：27 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA863TD-T3-A	文件：726.95 Kbytes Page：27 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	CEL California Eastern Laboratories	CEL
863X	文件：989.28 Kbytes Page：4 Pages	3M™LappingFilm865XForFinalPolishingofFiberOpticConnectors	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
863XW	文件：989.28 Kbytes Page：4 Pages	3M™LappingFilm865XForFinalPolishingofFiberOpticConnectors	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
AN863	文件：204.66 Kbytes Page：22 Pages	ImprovedsensorlesscontrolwiththeST62MCUforuniversalmotor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
B863	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SD1148 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor70Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD863	文件：111.24 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BS-A863RD	文件：260.14 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BS-C863RD	文件：260.14 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
CAT863	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT863	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT863	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT863	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT863	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT863M	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT863MTBI-G	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT863MTBI-G	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst

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详细参数

型号：
UPA863TD
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA863TD供应商更新时间2024-6-19 16:00:00

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