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UPA863TD中文资料PDF规格书

UPA863TD
厂商型号

UPA863TD

功能描述

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

文件大小

387.98 Kbytes

页面数量

30

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 9:15:00

UPA863TD规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

• Low voltage operation

• 2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5800)

Q1: Built-in high gain transistor

fT = 12.0 GHz TYP., ½S21e½2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation

fT = 4.5 GHz TYP., ½S21e½2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• 6-pin lead-less minimold package

产品属性

  • 型号:

    UPA863TD

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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