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UPA2806T1L-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2806T1L-E2-AY
厂商型号

UPA2806T1L-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

236.37 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 13:18:00

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UPA2806T1L-E2-AY规格书详情

Description

The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)

⎯ RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 10 A)

• Low Ciss: Ciss = 780 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)

• Built-in gate protection diode

• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)

• RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    UPA2806T1L-E2-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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