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UPA2806T1L-E2-AY规格书详情
描述 Description
The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications.
特性 Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)
⎯ RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 10 A)
• Low Ciss: Ciss = 780 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
• Built-in gate protection diode
• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)
• RoHS Compliant
产品属性
- 型号：
UPA2806T1L-E2-AY
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
QFN |
3505 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
QFN |
8650 |
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RENESAS |
2016+ |
QFN |
3000 |
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RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
HVSON8 |
6540 |
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RENESAS |
12+ |
QFN |
208 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN |
11200 |
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24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
QFN |
100500 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN |
50000 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
QFN8 |
66000 |
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询价 |
