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UPA2801T1L-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2801T1L-E1-AY
厂商型号

UPA2801T1L-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

358.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 23:00:00

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UPA2801T1L-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

The μ PA2801 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power

management applications of portable equipments.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

• Built-in gate protection diode

• Thin type surface mount package with heat spreader

• RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
3330
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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