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UPA2805UT1L-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2805UT1L-E1-AY
厂商型号

UPA2805UT1L-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

379.72 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 16:10:00

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UPA2805UT1L-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

The μ PA2805UT1L is N-channel MOS FET designed for DC/DC converter and

power management applications of portable equipments.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 13 A)

• Low QG

• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON (3333))

• RoHS Compliant

• Halogen Free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESA
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