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UPA2803T1L-E1-AY	文件：373.78 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2803isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=20A) RDS(on)2=9.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=10A) •Built-ingateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA572T-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT353	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司相关企业：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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更多UPA2803T1L-E1-AY供应商更新时间2025-7-31 10:23:00