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UPA2793AGR-E2-AT	文件：349.14 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2793AGR-E2-AT

文件：349.14 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

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更多UPA2793AGR-E2-AT供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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