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UPA2763T1A-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2763isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=23.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=21A) ⎯RDS(on)2=28.0mΩMAX.(VGS=8V,ID=21A) •LowCiss2100pFTYP

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更多UPA2763T1A-E2-AY供应商 更新时间2024-6-17 14:03:00