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UPA2720AGR-E2-AT	文件：274.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2720AGR-E2-AT

文件：274.85 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.

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更多UPA2720AGR-E2-AT供应商更新时间2025-5-28 14:13:00

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