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UPA2720AGR-E1-AT

文件：274.85 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.

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更多UPA2720AGR-E1-AT供应商更新时间2025-7-21 18:15:00

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