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UPA2550	文件：353.52 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2550 is dual P-channel MOSFETs designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. Dual P-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments. FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance 文件：353.52 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2550T1H-T1-AT	文件：353.52 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2550 is dual P-channel MOSFETs designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. Dual P-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments. FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance 文件：353.52 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2550T1H-T2-AT	文件：353.52 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2550 is dual P-channel MOSFETs designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. Dual P-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments. FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance 文件：353.52 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2550	文件：91.42 Kbytes Page：1 Pages	Feets of Strength 文件：91.42 Kbytes 页数：1 Pages	HEYCO	HEYCO
2550DE	文件：1.47819 Mbytes Page：53 Pages	Inductive Position Sensor IC Features ▪ Position sensing based on an inductive principle ▪ Cost-effective; no magnet required ▪ Immune to magnetic stray fields; no shielding required ▪ Suitable for harsh environments and extreme temperatures ▪ Differential and single-ended sine and cosine outputs ▪ Automatic gain contro 文件：1.47819 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2550PT	文件：1.3685 Mbytes Page：6 Pages	Voltage rating up to 3600V 文件：1.3685 Mbytes 页数：6 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI

详细参数

型号：
UPA2550
功能描述：
MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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