1.2MHz, 3.0A, High-Efficiency Synchronous-Rectified Buck Converter

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Single chip type • Low on-state resistance RDS(on)1 = 19 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 4.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ TYP. (VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A) RDS(on)3 = 24 mΩ TYP. (VGS = 4.0 V, ID = 4.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1700 pF TYP. • Built-in G-S protectio

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RENESAS

瑞萨