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UP1856	文件：89.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT TRANSISTOR HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES * High current switching * Low VCE(SAT) * High hFE 文件：89.18 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UP1856	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
UP1856L-AA3-R	文件：89.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT TRANSISTOR HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES * High current switching * Low VCE(SAT) * High hFE 文件：89.18 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UPA1856	文件：77.37 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The µPA1856 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The µPA1856 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be dri 文件：77.37 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1856	文件：208.4 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μPA1856 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The μPA1856 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be 文件：208.4 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ZSSC1856	文件：2.441 Mbytes Page：179 Pages	Intelligent Battery Sensor IC 文件：2.441 Mbytes 页数：179 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

BVCEO(V)：
-200
BVCBO(V)：
-220
IC(A)：
-2
HFE_MIN.：
100
HFE_MAX.：
300
HFEtest_IC(mA)：
-1000
HFEtest_VCE(V)：
-5
VCE(Sat)(V)MAX.：
-0.165
VCE(Sat)test_IC(mA)：
-1000
VCE(Sat)test_Ib(mA)：
-100
Package：
SOT-223

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更多UP1856供应商更新时间2026-10-28 10:20:00

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