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UNR321000L

TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3

Panasonic

松下

UNR321000L

Package:SOT-723;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3

PanasonicElectronicComponents

HYM321000S

1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module

The HYM 321000S/GS-50/-60 is a 4 MByte DRAM module organized as 1 048 576 words by 32- bit in a 72-pin single-in-line package comprising two HYB 5118160BSJ 1M × 16 DRAMs in 400 mil wide SOJ-packages mounted together with two 0.2 µF ceramic decoupling capacitors on a PC board. Advanced Information

文件:80.36 Kbytes 页数:10 Pages

SIEMENS

西门子

NE321000

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

DESCRIPTION The NE321000 is Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems, industrial and space applications. FEATURES • Super Low Noise Figure & Hi

文件:48.78 Kbytes 页数:12 Pages

NEC

瑞萨

NE321000

ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET

文件:135.99 Kbytes 页数:6 Pages

CEL

产品属性

  • 产品编号:

    UNR321000L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SSS迷你型3-F1

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UNR321000L供应商 更新时间2025-10-12 16:01:00