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|---|---|---|---|---|
UN600N32TE | 丝印：72K；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2.5KV Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：3.36995 Mbytes 页数：7 Pages | UNSEMI 优恩半导体 | UNSEMI | |
UN600N32TE | MOSFET | UNSEMI 优恩半导体 | UNSEMI | |
300A Stud Version Standard Recovery Diode for Generator Exciter Features ※ ThinkiSemi matured process rectifier diodes ※ Low forward voltage drop ※ High current capability/High reverse voltage ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Converters/Power supplies/Machine tool controls ※ Turbo Generators with Brushless Exc 文件：565.05 Kbytes 页数：6 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | THINKISEMI | ||
BGA | UNIGROUP/紫光微 上传：深圳市恒佳微电子有限公司 | UNIGROUP/紫光微 |
技术参数
- 类型：
NMOS
- VDS (V)：
60
- VGS (V)：
±20
- VTH (MIN) (V)：
1.0
- VTH (MAX) (V)：
2.0
- ID @25°C (A)：
0.34
- RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
1600
- RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
2000
- RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
2000
- RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
5000
- RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
/
- ESD：
YES
- AEC-Q101：
NO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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