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UN600N23T

丝印:S10;Package:SOT-23;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch

文件:4.88631 Mbytes 页数:8 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UN600N23TE

丝印:72K;Package:SOT-23;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free ESD Protected up to 2KV (HBM) Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch

文件:4.48728 Mbytes 页数:8 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UN600N23T

MOSFET

UNSEMI

优恩半导体

UN600N23TE

MOSFET

UNSEMI

优恩半导体

技术参数

  • 类型:

    NMOS

  • VDS (V):

    60

  • VGS (V):

    ±20

  • VTH (MIN) (V):

    1.0

  • VTH (MAX) (V):

    2.2

  • ID @25°C (A):

    3

  • RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ):

    75

  • RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ):

    90

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ):

    90

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ):

    110

  • RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ):

    /

  • ESD:

    YES

  • AEC-Q101:

    NO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
UN SEMICONDUCTOR
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con
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查现货到京北通宇商城
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更多UN600N23T供应商 更新时间2025-10-6 14:01:00