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UN202N23T	文件：4.92109 Mbytes Page：8 Pages	丝印：S2；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：4.92109 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN202N23TE	文件：4.60477 Mbytes Page：7 Pages	丝印：34K；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced Trench Process Technology Low Threshold Voltage Fast Switching Speed Halogen-Free & Lead-Free N-Channel Switch with Low RDS(ON) Applications  Load Switch for Portable Devices  Voltage controlled small signal switch 文件：4.60477 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN202N23T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN202N23TE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

技术参数

类型：
NMOS
VDS (V)：
20
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
0.5
VTH (MAX) (V)：
1.2
ID @25°C (A)：
4.5
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
/
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
32
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
40
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
42
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

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