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UMG6N	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	丝印：G6；Package：SOT-353；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：72.01 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6N	文件：71.91 Kbytes Page：3 Pages	丝印：G6；Package：SOT-353；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：71.91 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6N	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G6；Package：SOT-353；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：434.32 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6N	文件：1.15671 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G6；Package：SOT-353；Emitter common(dual digital transistor) 文件：1.15671 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6N	文件：159.94 Kbytes Page：3 Pages	丝印：G6；Package：SOT-353；General purpose (dual digital transistors) 文件：159.94 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6NTR	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：434.32 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG6N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •输入电阻型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
UMT5
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-353
JEITA Package：
SC-88A
Number of terminal：
5
Polarity：
NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47
Input resistance R1 2 [kΩ]：
47
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
50
Collector current(continuous) IC2[A]：
0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTC144T / DTC144T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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更多UMG6N供应商更新时间2025-10-11 10:21:00

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