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UM2110	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PIN DIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2110	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATOR AND POWER PIN DIODES 2 ??30 MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2110B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	Product Change Notification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2110C	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	Product Change Notification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UN2110	文件：235.97 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR2110	文件：443.54 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanartype SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPG2110TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2110TB	文件：149.27 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2110TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V, fRF=1850to1910MHz	CEL California Eastern Labs	CEL
UTCM2110	文件：93.83 Kbytes Page：3 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
V2110B	文件：46.53 Kbytes Page：1 Pages	Finger-shapedheatsinkTO-126	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN

详细参数

型号：
UM2110
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
PIN ATTENUATOR/SWIT 1KV - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒佳微电子有限公司	UM2111	UMEC	2021+	DIP	11000	十年专营原装现货,假一赔十	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	UM2111	UMEC	23	DIP	55000	原厂渠道原装正品假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UM2112	UMEC	23+	DIP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
华富测量(深圳)传感技术有限公司	UM2116	原厂	2023+	模块	600	专营模块,继电器,公司原装现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	UM2121	UMEC	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价

更多UM2110供应商更新时间2025-5-24 9:37:00

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