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UHB100SC12E1BC3N	文件：1.54042 Mbytes Page：13 Pages	Marking：UHB100SC12E1BC3N；Package：E1B；1200V-100A SiC Half-Bridge Module Features ThresholdvoltageVG(th):5V(typ)allowing0to15Vdrive On-resistance:RDS(on)=9.4mW(typ) Operatingtemperature:150°C(max) Excellentreverserecovery:Qrr=1000nC Lowbodydiodevoltage:VFSD=1.4V Lowgatecharge:QG=170nC Lowintrinsiccapacitance ESD	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

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UHB100SC12E1BC3N

文件：1.54042 Mbytes

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Marking：UHB100SC12E1BC3N；Package：E1B；1200V-100A SiC Half-Bridge Module

Features *ThresholdvoltageVG(th):5V(typ)allowing0to15Vdrive *On-resistance:RDS(on)=9.4mW(typ) *Operatingtemperature:150°C(max) *Excellentreverserecovery:Qrr=1000nC *Lowbodydiodevoltage:VFSD=1.4V *Lowgatecharge:QG=170nC *Lowintrinsiccapacitance *ESD

QORVOQorvo, Inc

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