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UHB100SC12E1BC3N中文资料威讯联合数据手册PDF规格书

UHB100SC12E1BC3N
厂商型号

UHB100SC12E1BC3N

功能描述

1200V-100A SiC Half-Bridge Module

丝印标识

UHB100SC12E1BC3N

封装外壳

E1B

文件大小

1.54042 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Qorvo, Inc
企业简称

QORVO威讯联合

中文名称

威讯联合半导体(德州)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 11:54:00

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UHB100SC12E1BC3N规格书详情

Features

* Threshold voltage VG(th): 5V (typ) allowing 0 to 15V drive

* On-resistance: RDS(on) = 9.4mW (typ)

* Operating temperature: 150°C (max)

* Excellent reverse recovery: Qrr = 1000nC

* Low body diode voltage: VFSD = 1.4V

* Low gate charge: QG = 170nC

* Low intrinsic capacitance

* ESD protected: HBM class 2 and CDM class C3

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