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UHB50SC12E1BC3N | Marking：UHB50SC12E1BC3N；Package：E1B；1200V-50A SiC Half-Bridge Module Features *On-resistance:RDS(on)=19mW(typ) *Operatingtemperature:150°C(max) *Excellentreverserecovery:Qrr=495nC *Lowbodydiodevoltage:VFSD=1.2V *Lowgatecharge:QG=85nC *ThresholdvoltageVG(th):5V(typ)allowing0to15Vdrive *ESDprotected:HBMclass2andCDMc | QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司 | QORVO |
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