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UCC5880-Q1	文件：721.76 Kbytes Page：12 Pages	UCC5880-Q1 Isolated 20-A Adjustable Gate Drive IGBT/SiC MOSFET Gate Driver With Advanced Protection Features For Automotive Applications 1 Features • Dual output split driver with on-the-fly programmable drive strength – ±15-A and ±5-A drive current outputs – Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI – 3 resistor settings R1, R2, or R1\|\|R2 – Integrated 4-A active Miller clamp or optional external dr 文件：721.76 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC5880-Q1	文件：1.4497 Mbytes Page：19 Pages	UCC5880-Q1 Isolated 20A Adjustable Gate Drive IGBT/SiC MOSFET Gate Driver With Advanced Protection Features For Automotive Applications 1 Features • Dual-output driver with real time variable drive strength – ±15A and ±5A drive current outputs – Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI – 3 resistor settings R1, R2, or R1\|\|R2 – Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller 文件：1.4497 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC5880-Q1	文件：300 bytes Page：1 Pages	具有高级保护功能的汽车类 20A 隔离式实时可变 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器 UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式可调压摆率栅极驱动器，专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能，例如基于分流电阻的过流保护、过热保护（PTC、NTC 或二极管）以及 DESAT 检测，包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。为了进一步缩小应用尺寸，UCC5880-Q1 集成了可用的有源米勒钳位，以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统 • 具有动态可编程驱动强度的双路输出分离驱动器 \n• 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)\n• 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器\n• 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)\n• 驱动器内核温度检测和过热保护\n• 75ns 的过流事件响应时间\n• 基于分流电阻器的过流保护\n• 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流\n• 集成 10 位 ADC \n• 可编程数字比较器\n• 高级 VCE/VDS 钳位电路\n• 专为功能安全应用开发\n• 集成型诊断： \n• 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测;	TI 德州仪器	TI
UCC5880-Q1_V01	文件：1.4497 Mbytes Page：19 Pages	UCC5880-Q1 Isolated 20A Adjustable Gate Drive IGBT/SiC MOSFET Gate Driver With Advanced Protection Features For Automotive Applications 1 Features • Dual-output driver with real time variable drive strength – ±15A and ±5A drive current outputs – Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI – 3 resistor settings R1, R2, or R1\|\|R2 – Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller 文件：1.4497 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Isolation rating：
Reinforced
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)：
5000
Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)：
1414
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)：
7071
Power switch：
IGBT
Peak output current (A)：
20
Features：
Active miller clamp
Output VCC/VDD (max) (V)：
30
Output VCC/VDD (min) (V)：
12
Input VCC (min) (V)：
3
Input VCC (max) (V)：
5.5
TI functional safety category：
Functional Safety-Compliant
Propagation delay time (µs)：
0.15
Input threshold：
CMOS
Operating temperature range (°C)：
-40 to 125
Rating：
Automotive
Bus voltage (max) (V)：
1414
Rise time (ns)：
55
Fall time (ns)：
55
Undervoltage lockout (typ) (V)：
Programmable
封装：
SSOP (DFC)
引脚：
32
尺寸：
106.09 mm² 10.3 x 10.3

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