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VSP2080T	文件：80.66 Kbytes Page：7 Pages	CCDSIGNALFRONT-ENDPROCESSORFORDIGITALCAMERAS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
VT2080C	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C	文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VT2080S	文件：142.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080S	文件：142.46 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WPM2080	文件：1.07495 Mbytes Page：8 Pages	SingleP-Channel,-20V,-4.0A,PowerMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI

详细参数

型号：
UBA2080T
功能描述：
功率驱动器IC Half-bridge drvr IC
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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