TW12N10CX资料datasheet下载供应代理第2页-114ic电子网

首页 >TW12N10CX>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

<<<123 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
TW12N10CX
功能描述：
TRIAC|1KV V(DRM)|12A I(T)RMS|TO-103VARM6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TW12N1100CT	AEG	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TW12N1100CT	AGE	23+		11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	TW12N1100CT	AEG	24+	MODULE	2100	公司大量全新现货随时可以发货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	TW12N1100CT	AGE	2023+	MODULE	150	主打螺丝模块系列	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	TW12NR050FTL	WALSIN	14+	SMD	5000	原厂原装仓库现货,欢迎咨询	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TW12NR050FTL	WALSIN/华新	24+	SMD	6500	全新原装数量均有多电话咨询	询价
深圳市易讯博科技有限公司	TW13	Apex	22+	NA	137	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

更多TW12N10CX供应商更新时间2025-7-15 18:20:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号