MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 30 m Ω (typ.) (5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage:

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TOSHIBA

东芝

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