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GI854	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI854	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IPM-C854	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L854	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
KRC854E	文件：113.58 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC854U	文件：114.08 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
UCX854	文件：1.35319 Mbytes Page：31 Pages	UCx854High-PowerFactorPreregulator 1Features 1•ControlBoostPWMto0.99PowerFactor •LimitLine-CurrentDistortionto	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UL854	文件：152.34 Kbytes Page：9 Pages	GenFree짰IILSZHXLPOSingleConductor	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
UPA854TD	文件：351.49 Kbytes Page：35 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5745) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
YRS-854	文件：1.01138 Mbytes Page：9 Pages	Crimpingmachinesandtools	JSTJST Mfg. Co., Ltd. JST集团日本圧着端子製造株式会社	JST

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