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UN621D	文件：175.97 Kbytes Page：13 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN621E	文件：175.97 Kbytes Page：13 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN621F	文件：175.97 Kbytes Page：13 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN621K	文件：175.97 Kbytes Page：13 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN621L	文件：175.97 Kbytes Page：13 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPA621TT	文件：68.22 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA621TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA621TT	文件：295.36 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING FEATURES •2.5Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.5A) RDS(on)2=53mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=2.5A) RDS(on)3=79mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=2.5A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
US621	文件：100.01 Kbytes Page：1 Pages	Mediumandhightemperaturesettingtype Application/Scanner,Printer,Copier,etc.	ASAHI Asahikeiki Co.,Ltd.	ASAHI
US-621AXRGCO	文件：100.01 Kbytes Page：1 Pages	Mediumandhightemperaturesettingtype Application/Scanner,Printer,Copier,etc.	ASAHI Asahikeiki Co.,Ltd.	ASAHI
US-621AXRGDO	文件：100.01 Kbytes Page：1 Pages	Mediumandhightemperaturesettingtype Application/Scanner,Printer,Copier,etc.	ASAHI Asahikeiki Co.,Ltd.	ASAHI

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详细参数

型号：
TSV621I
功能描述：
运算放大器 - 运放 29A 420KHz CMOS Input/Output Amp.
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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