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UPA801T	文件：76.04 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA801TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801T	文件：197.86 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
UPA801T	文件：217.64 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheµPA801Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoiseNF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •AMiniMoldPackageAdopted	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA801T	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	NONLINEARMODEL	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA801TC	文件：76.04 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA801TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801TF	文件：15.45 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA801TFcontainstwoNE856NPNhighfrequencysiliconbipolarchips.NECsnewlowprofileTFpackageisidealforallportablewirelessapplicatonswherereducingcomponentheightisaprimeconsideration.Eachtransistorchipisindependentlymountedandeasilyconfiguredfortw	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPGT801	文件：424.14 Kbytes Page：10 Pages	surface-mountLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
UPGT801-S	文件：287.92 Kbytes Page：12 Pages	IndustryStandardPLCCSMTpackage	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
US801	文件：2.02014 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountUltraFastRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
US801DS	文件：472.45 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountUltrafastRecoveryRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
TSP801R-SERIES
功能描述：
Interface IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	TSP806	TOSHIBA	13+		11958	原装分销	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	TSP806	TOSHIBA原装	25+23+	DIP	32933	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	TSP830M	TURESEMI	2022+	TO-220	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市威雅利发展有限公司	TSP830M	VBsemi	21+	TO220	10026	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	TSP830M	VBsemi	25+	TO220	6638		询价
深圳市创新迹电子有限公司	TSP830M	TURESEMI	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	TSP830M	TURESEMI	20+	TO-220	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市中联芯电子有限公司	TSP830M	VBsemi	24+	TO220	11000	原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	TSP830M低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	TSP830M低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价

更多TSP801R-SERIES供应商更新时间2025-7-28 9:01:00

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