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PHB55N03LTA	文件：1.01483 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHB55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03T	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03T	文件：344.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03	文件：250.37 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03LT	文件：298.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD55N03LTA	文件：296.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP55N03LTAinaSOT78(TO-220AB) PHB55N03LTAinaSOT404(D2-PAK) PHD55N03LTAinaSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP55N03LT	文件：371.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
TSM55N03CPRO
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
25V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市胜彬电子有限公司	TSM55N03CPRO	TOSHIBA	22+	TO-252	3000	原装正品,支持实单	询价
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